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碳化硅 MOSFET IV2Q12160T4Z

  • 详细介绍

品牌:瞻芯电子

特点
⚫ 第二代 SiC MOSFET 技术  ⚫ 高压、低导通电阻 ⚫ 高速、寄生电容小 ⚫ 175℃工作结温 ⚫ 高可靠快速恢复体二极管  ⚫ 通过 AEC-Q101 车规认证
应用
⚫ 车载充电器 ⚫ 光伏升压器 ⚫ 车载压缩机逆变器 ⚫ AC/DC 电源
相关参数
VDS    漏源电压  1200V 
RON 导通电阻  160mΩ
VGSon 推荐使用的开通栅源电压   15 to 18 V
VGSoff 推荐使用的关断栅源电压 -5 to -2 V
ID 最大漏源电流      19A (VGS=20V, TC=25°C )            

TJ 工作结温范围         -55 to 175°C

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