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碳化硅 MOSFET IV2Q06040L1

  • 详细介绍

品牌:瞻芯电子

特点
 ⚫ 第二代 SiC MOSFET 技术⚫ 高压、低导通电阻 ⚫ 高速、寄生电容小 ⚫ 高工作结温 ⚫ 快速恢复体二极管 ⚫ 开尔文连接驱动
应用
 ⚫ UPS 电源 ⚫ 电机驱动 ⚫ EV/HEV 驱动 ⚫ 高压 DC/DC 变换器 ⚫ 开关电源
VDS    漏源电压  650V 
RON  导通电阻  40mΩ
VGSon 推荐使用的开通栅源电压   15 to 18 V
VGSoff 推荐使用的关断栅源电压   -5 to -2 V

ID 最大漏源电流      60A (VGS=20V, TC=25°C )                 
TJ 工作结温范围         -55 to 175°C

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